RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
65
Autour de -171% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.1
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
17.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
4069
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link