RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2485
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link