RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2485
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link