RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
32
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2625
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link