RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2625
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link