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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
18
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
3814
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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