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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
18
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
3814
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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