RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Compara
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2030
3693
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link