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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
15.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2030
3693
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
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