RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.9
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
8.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
1344
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link