Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 30
    Intorno 10% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    11.9 left arrow 8.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.5 left arrow 5.6
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.9 left arrow 8.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.5 left arrow 5.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1620 left arrow 1344
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti