Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB

Puntuación global
star star star star star
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Puntuación global
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.8 left arrow 13.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.5 left arrow 10.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 17000
    En 1.51% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 33
    En -6% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    33 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    17.8 left arrow 13.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    12.5 left arrow 10.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    3285 left arrow 2330
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones