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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Compara
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
40
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
3448
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
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