RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
40
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
21.4
Скорость записи, Гб/сек
8.3
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
3448
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link