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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
58
En -81% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3742
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
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