Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Puntuación global
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Puntuación global
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 38
    En 29% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.5 left arrow 14.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.0 left arrow 10.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 19200
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 38
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.8 left arrow 15.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.2 left arrow 12.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2173 left arrow 2283
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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