RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2173
2283
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link