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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
51
En -46% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2488
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
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