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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
51
Por volta de -46% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
9.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2488
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
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