RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
51
En -155% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
20
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3483
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link