RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
51
Около -155% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
20
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3483
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link