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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
46
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
14900
12800
En 1.16 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
46
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
14900
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1959
2509
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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