RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Сравнить
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB против Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
46
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
14900
12800
Около 1.16 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
46
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
13.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
14900
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1959
2509
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link