Comparación de la memoria RAM Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Puntuación global

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

26 37

En 30% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

16 12.3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.6 7.1

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 10600

En 1.81 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1952 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns