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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
56
En 34% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
56
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2455
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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