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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
56
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
56
Velocità di lettura, GB/s
13.9
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
2455
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZPHSCR 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
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