RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
54
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
3486
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link