RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3486
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link