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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
42
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
42
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
2036
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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