Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    29 left arrow 42
    Wokół strony -45% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.2 left arrow 9.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.8 left arrow 6.0
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
    Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    42 left arrow 29
  • Prędkość odczytu, GB/s
    9.7 left arrow 12.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    6.0 left arrow 8.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1396 left arrow 2036
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania