RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Compara
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
47
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
45
47
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2079
1413
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link