RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
47
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
45
47
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2079
1413
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link