RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
71
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3386
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link