RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
71
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3386
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link