RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Compara
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Puntuación global
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,069.2
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
106
En -489% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
106
18
Velocidad de lectura, GB/s
3,273.7
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,069.2
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
734
3814
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link