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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1932
2447
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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