RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2832
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
INTENSO 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link