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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
31
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.2
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
21.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3486
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
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