RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
31
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.2
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
21.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3486
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link