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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
59
En -84% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2318
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
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