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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,833.8
10.8
写入速度,GB/s
2,123.3
8.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2318
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
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