RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
69
En -176% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2104
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link