RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
69
Около -176% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2104
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link