RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
58
En -164% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3178
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link