RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
58
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3178
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
INTENSO M418039 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link