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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
72
En 36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
72
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
1731
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
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