RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
72
Intorno 36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
72
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
1731
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link