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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
46
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.7
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
24
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
22.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
18.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
4202
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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