RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
60
66
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
2,168.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
66
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
1877
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link