RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
60
66
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
2,168.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
66
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
7.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
1877
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link